Apple 近日發佈了旗下最昂貴的產品 Mac Pro，作為一款專業級的 PC 硬件部份一定非常強悍，除了可選配多達 28 核心 Intel 全新的 Xeon W 處理器之外，更內建了 AMD 專為 Mac Pro 定制的 Radeon Pro 系列顯示卡，當中最引人注目的一定是採用了「單卡雙 GPU」設計的 Radeon Pro W6800X Duo，雙 GPU 提供了合共 120 個運算單元，堪稱 AMD 的旗艦卡皇之皇。

AMD 全新 Radeon Pro W6800X Duo 屬於 Radeon Pro W6000X 系列中的中最高階的顯示卡，基於 7nm 制程、RDNA 2 架構，在通過高速 AMD Infinity Fabric 互連技術下可以組成雙 GPU 顯示卡配置，讓兩個 W6800X GPU 可在每個方向以高達 84GB/s 的速度連接，並提供合共 120 組 CU 運算單元、7680 個 Stream Processors、256MB 記憶體緩存、64GB GDDR6 VRAM，單精度、半精度浮點性能高達 30.2 teraflops 及 60.4 teraflops 運算速度，核心時脈最高達 1979MHz，整卡功耗為 400W。

Radeon Pro W6000X 系列另外還提供了 Radeon Pro W6800X 及 Radeon Pro W6900X，不過這兩款產品就只有單 GPU。其中，Radeon Pro W6800X 擁有 60 組 CU 運算單元、3840 個 Stream Processors、128MB 記憶體緩存、256-bit 32GB GDDR6 VRAM，整卡功耗 300W，核心時脈最高達 2087MHz，單精度、半精度浮點性能 16 teraflopss、32 teraflops。

日前在 EEC 歐亞經濟委員會中發現，ASUS 註冊了一款尚未發佈的「RTX3070-8G-NOCTUA」產品，隨即引起網友們猜測 ASUS 或會與 Noctua 合作推出定制版的新款 GeForce RTX 3070 顯示卡。

根據 Twitter@Komachi 的挖掘，ASUS 在

EEC 歐亞經濟委員的申請

在過去一段時間，不少的爆料都表示 NVIDIA 及 AMD 目前正在部署下代的 GeForce RTX 40 系列及 Radeon RX 7000 系列新卡，傳聞指 RTX 40 系列及 Radeon RX 7000 系列中將會齊齊用上 MCM 多晶片封裝架構，雖然可預期在性能、效率等都會有大幅的提升，但卻要在功耗方面作出取捨，最新的消息指 RTX 40 系列及 Radeon RX 7000 系列兩款旗艦卡功耗最高可達 500W !!

根據之前網上流出的資料，NVIDIA GeForce RTX 40 系列將基於代號 Ada Lovelace 的全新 GPU 架構，預計將採用台積電的 5nm 制程，目前猜測 RTX 40 系列旗艦型號將內建編號為 AD102 的 GPU 核心，擁有 12 個 GPC 單元、72 個 TPC 單元及 144 個 SM，相比 RTX 3090 內建的 GA102 有明顯的提升。

至於 CUDA Core 部份，傳聞指 RTX 40 系旗艦型號亦由 RTX 3090 的 10752 個增加至 18432 個，在 2.2 GHz 下獲得高達 80 TFLOPs 的 FP32 運算性能，如果以上的數字正確無誤的話實，可預期使用基於 Ada Lovelace-GPU 的 RTX 40 顯示卡性能將有比上代提升 2.5 倍。

QNAP 力撑中國芯發展，成為全球首家使用國產 CPU 的 NAS 廠商，全新 TVS-675 採用兆芯開先 KX-U6580 八核心 2.5GHz 處理器，提供 2 組 2.5GbE 網絡接口、M.2 SSD 雙插槽、4K HDMI 2.0 輸出搶攻大陸市場，現時香港亦開始接受 TVS-675 Pre-Order 預售，售價為 HKD$8,888。

一直以來在 x86 NAS處理器通常只會有 Intel 及 AMD 兩個選擇，不過內地玩家就「有福了」，因為他們還可以買到國產處理器 NAS，早前 QNAP 就宣佈採用上海兆芯開先 KX-U6580 八核心國產處理器兆芯 「KX-U6580」的 NAS 產品，型號為 QNAP TVS-675。

據了解，KX-U6580處理器基於其神秘的 LuJiaZui 陸家嘴微架構，採用了台積電的 16nm FinFET 工藝，35×35mm HFCBGA 封裝，單晶片集成 8 核心 x86 CPU，處理器時脈為 2.5GHz，內建 8MB L2 Cache 緩存，支援雙通道 DDR4-3200 記憶體、最大支援 64GB 容量，並搭載了 C-960 GPU 繪圖核心。

KIOXIA (前身為 TOSHIBA) 宣佈正投入研發 HLC NAND Flash 顆粒，相較現時的 QLC NAND Flash 顆粒，其存儲密度將提升 50%，同時堆疊層數亦會提升至 600~1000 層，雖然預估量產後 PE 壽命將不到 100 次，但由於存儲容量會相當誇張，這意味著很久才會寫滿一次 SSD。

隨著 NAND Flash 的演進，現在 SLC、MLC 顆粒已基本上消失在家用 SSD 產品中，目前是由 TLC 與 QLC 為主流，並且開始向著 PLC 前進，所謂的 PLC 就是每 Cell 存儲 5 bits，要儲存更多的資料就需要更多的電壓層級。

舉例 QLC 是電壓層級就有 2